在当今高压半导体器件上执行击穿电压和漏流测量

2026-01-05
在经过多年研究和设计之后,碳化硅(SiC)和氮化镓 (GaN)功率器件正变得越来越实用。这些器件尽管性能很高,但它们也带来了许多挑战,包括栅极驱动要求。SiC要求的栅极电压(Vgs)要高得多,在负偏置电压时会关闭。GaN的阈值电压(Vth)则低得多,要求严格的栅极驱动···

当代材料科学研究中的电学特性测试方案汇编

2026-01-01
概述材料科学研究的发展趋势与电学特性测试的重要性,介绍泰克与吉时利的品牌技术积淀及产品矩阵优势。核心部分详细拆解了六大类材料的测试方案,包括凝聚态物理物性表征、纳米结构材料(纳米线 / 碳纳米管、二维 / 石墨烯、纳米发电、MEMS)、宽禁带材料、电···

电动汽车牵引逆变器和电机的测量分析

2026-01-01
促进电动汽车牵引逆变器分析促进电动汽车牵引逆变器分析有助于电动汽车的发展。作为电动汽车动力系统的核心,牵引逆变器和电机发挥着举足轻重的作用。这些子系统内的改进可直接提高车辆的续航里程、性能并降低成本采用SiC功率半导体有助于提高牵引逆变器的效率···

双脉冲测试

2025-12-31
测量开关参数的标准方法对于在 SiC 和 GaN 器件上工作的功率设备工程师来说,最大限度地降低开关损耗仍然是一项主要挑战。测量开关参数和评估硅、碳化硅、氮化镓 MOSFET 和 IGBT 动态行为的标准测试方法是双脉冲测试 (DPT)。双脉冲测试可用于测量设备开启和关···
电话:18676691865
扫码添加客服微信
微信二维码