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在当今高压半导体器件上执行击穿电压和漏流测量
2026-01-05
在经过多年研究和设计之后，碳化硅(SiC)和氮化镓 (GaN)功率器件正变得越来越实用。这些器件尽管性能很高，但···
双脉冲测试
2025-12-31
测量开关参数的标准方法对于在 SiC 和 GaN 器件上工作的功率设备工程师来说，最大限度地降低开关损耗仍然是···
检定硅、碳化硅和氮化镓设备的性能
2025-12-31
让您的功率半导体设备更快上市汽车电气化和射频通信中要求苛刻的应用需要宽禁带半导体技术（例如碳化硅和氮···
宽禁带半导体材料研究
2025-12-31
宽带隙半导体材料研究 – 充满挑战的新世界人们努力降低功耗并提高设备密度和性能，推动了对具有高载流子迁···
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