LT-8000高分辨率深能级瞬态谱 (DLTS) 测试分析系统
型号: LT-8000
应用：
半导体材料研究、半导体器件优化、半导体激光器、半导体故障分析
钙钛矿太阳能电池、缺陷分析、界面层研究
- 产品介绍
- 参数型号
DLTS,DLCP,TAS三合一半导体缺陷表征设备
LT-8000的独特之处在于无需多台仪器，即可进行完整的半导体缺陷分析，显著提高实验效率，降低研究成本。可以从不同角度全面表征器件：既能精准定量深层缺陷，又能探测缺陷填充和分布情况，同时了解缺陷的动态行为。这种多功能互补的测试方法大大提高了器件表征的全面性和准确性，也为器件优化和故障诊断提供了丰富的数据支持。
| 类别 | 技术参数项 | 规格值 |
|---|---|---|
| 脉冲发生器 | 电压范围 | ±10V |
| 电压分辨率 | <85μV | |
| 最大电流 | ±10mA | |
| 单脉冲宽度 | 1μs~60s | |
| 交流测试信号 | 频率范围 | 1mHz ~5MHz |
| 频率分辨率 | 1μHz | |
| 电容测量 | 电容测量范围 | 10fF~1F |
| 电容测量分辨率 | max(10fF,0.05%) | |
| 滤波器时间常数 | 336ns~83s | |
| 电压测量 | 电压测量范围 | ±10mV~±3V,共7个量程档位可选 |
| 电压测量最小分辨率 | ±15nV | |
| 输入阻抗 | 500/10MS | |
| 电流测量 | 电流测量范围 | ±1nA~±10mA,共8个量程档位可选 |
| 电流测量最小分辨率 | ±15fA | |
| 瞬态记录 | 采集时间间隔 | 5μs min |
| 单脉冲采集时长 | ≤12h任意可设 | |
| 温度范围 | 80K~500K(标配),80K~800K(选件),4K~450K(选件) | |
LT-8000高分辨率深能级瞬态谱 (DLTS) 测试分析系统
型号: LT-8000
应用：
半导体材料研究、半导体器件优化、半导体激光器、半导体故障分析
钙钛矿太阳能电池、缺陷分析、界面层研究
- 产品介绍
- 参数型号
DLTS,DLCP,TAS三合一半导体缺陷表征设备
LT-8000的独特之处在于无需多台仪器，即可进行完整的半导体缺陷分析，显著提高实验效率，降低研究成本。可以从不同角度全面表征器件：既能精准定量深层缺陷，又能探测缺陷填充和分布情况，同时了解缺陷的动态行为。这种多功能互补的测试方法大大提高了器件表征的全面性和准确性，也为器件优化和故障诊断提供了丰富的数据支持。
| 类别 | 技术参数项 | 规格值 |
|---|---|---|
| 脉冲发生器 | 电压范围 | ±10V |
| 电压分辨率 | <85μV | |
| 最大电流 | ±10mA | |
| 单脉冲宽度 | 1μs~60s | |
| 交流测试信号 | 频率范围 | 1mHz ~5MHz |
| 频率分辨率 | 1μHz | |
| 电容测量 | 电容测量范围 | 10fF~1F |
| 电容测量分辨率 | max(10fF,0.05%) | |
| 滤波器时间常数 | 336ns~83s | |
| 电压测量 | 电压测量范围 | ±10mV~±3V,共7个量程档位可选 |
| 电压测量最小分辨率 | ±15nV | |
| 输入阻抗 | 500/10MS | |
| 电流测量 | 电流测量范围 | ±1nA~±10mA,共8个量程档位可选 |
| 电流测量最小分辨率 | ±15fA | |
| 瞬态记录 | 采集时间间隔 | 5μs min |
| 单脉冲采集时长 | ≤12h任意可设 | |
| 温度范围 | 80K~500K(标配),80K~800K(选件),4K~450K(选件) | |
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