Cindbest 的CGO-4-N 提供具有10^-3pa 或10^-6 mbar 真空水平的低温环境。满足材料和早期电子器件电性能无损测量的要求。典型应用包括在很宽的温度范围内采样IV 和CV 曲线、测量微波和电光响应、表征可变磁场中的磁传输特性、霍尔效应测量以了解载流子迁移率,以及各种其他材料研究。
特点:
2 至 4 英寸样品台可选
紧凑的桌面设计
价格实惠
快速的冷却和升温
可兼容 IV/CV/RF 测试
温度范围 77K-473K
可集成光电流测试
可搭配电磁场做高低温霍尔测试
本产品提供高真空低温测试环境,真空水平可达 10^-3pa 或 10^-6mbar,满足材料与早期电子器件电性能无损测量要求。可从标准配置升级至高真空度、宽温域版本,适配多样化科研与测试场景。
典型应用:宽温域 IV/CV 曲线采集、微波与电光响应测量、可变磁场磁传输特性表征、霍尔效应测试(载流子迁移率分析)及各类材料研究。
台体模块、探针臂模块、光学显微镜系统、温控系统、真空系统、低温系统、磁场模块(选配)
Cindbest 的CGO-4-N 提供具有10^-3pa 或10^-6 mbar 真空水平的低温环境。满足材料和早期电子器件电性能无损测量的要求。典型应用包括在很宽的温度范围内采样IV 和CV 曲线、测量微波和电光响应、表征可变磁场中的磁传输特性、霍尔效应测量以了解载流子迁移率,以及各种其他材料研究。
特点:
2 至 4 英寸样品台可选
紧凑的桌面设计
价格实惠
快速的冷却和升温
可兼容 IV/CV/RF 测试
温度范围 77K-473K
可集成光电流测试
可搭配电磁场做高低温霍尔测试
本产品提供高真空低温测试环境,真空水平可达 10^-3pa 或 10^-6mbar,满足材料与早期电子器件电性能无损测量要求。可从标准配置升级至高真空度、宽温域版本,适配多样化科研与测试场景。
典型应用:宽温域 IV/CV 曲线采集、微波与电光响应测量、可变磁场磁传输特性表征、霍尔效应测试(载流子迁移率分析)及各类材料研究。
台体模块、探针臂模块、光学显微镜系统、温控系统、真空系统、低温系统、磁场模块(选配)